什么是刻蚀
刻蚀是采用化学或物理方法有选择地从芯片表面去除不需要材料的过程。刻蚀目的：在涂胶的芯片表面上正确的复制掩膜图形。
什么是物理干法刻蚀
目前刻蚀采用的物理方法是使用等离子刻蚀系统把芯片表面暴露于气态中产生的等离子体，等离子体通过光刻胶中开出的窗口与芯片发生物理或化学反应（或两种反应），从而去掉暴露的表面材料。
什么等离子刻蚀速率
等离子刻蚀速率指等离子刻蚀过程去除芯片表面不需要材料的速度。等离子刻蚀速率通常用 Å/min
表示，刻蚀速率=Å/min。刻蚀速率正比于蚀剂浓度，与芯片表面形状等因素有关。等离子刻蚀电介质及金属材料的刻蚀速率
模块化工艺处理系统即等离子刻蚀系统是为了满足广泛的研发及生产领域的等离子工艺处理要求而研发的多功能平台。
尽管每个用户的刻蚀应用可能不一样，不同等离子工艺应用的基本效果如下表所示。我们致力于协助客户获取的等离子工艺性能。
等离子刻蚀工艺
电介质-含氯化学
注：蚀刻速率及选择性可以优化，提供产出效率。
等离子刻蚀工艺
电介质-含氟化学
| 被蚀刻材料 | 基片 | 蚀刻速率 (Å/min) | 选择性 | 均匀性 (±%) |
| Thermal SiO2 二氧化硅 | Silicon | 450 | 10:1 | 3% |
| PECVD SiO2 PECVD 二氧化硅 | Silicon | 450 | 10:1 | 5% |
| 4%PSG | Silicon | 550 | 12:1 | 5% |
| PECVD SiN3 | Oxide | 450 | 4:1 | 5% |
| LPCVD SiN3 | Oxide | 300 | 2:1 | 5% |
| Isotropic | Silicon | 250 | 10:1 | 5% |
| Single Xtal 单晶体 | n/a | 300 | (mask) 2:1 | 5% |
| TiW | Oxide | 250 | 3:1 | 5% |
| Molybdenum 钼 | Oxide | 1000 | 15:1 | 8% |
| Polyimide 聚酰亚胺 | Aluminum | 600 | >30:1 | 5% |
| Photo-Resist 光刻胶 | Oxide | 1000 | >20:1 | 5% |
电介质-含氯化学
| 被蚀刻材料 | 基片 | 蚀刻速率 (Å/min) | 选择性 | 均 匀 性 (±%) |
| Pure Aluminum 纯铝 | Thermal Oxide | 800 | 12:1 | 4% |
| Al/1-2%Si | Thermal Oxide | 600 | 8:1 | 5% |
| Al/<2%Cu | Thermal Oxide | 500 | 6:1 | 5% |
| Polysilicon | Thermal Oxide | 400 | 15:1 | 5% |
| Single Xtal | n/a | 500 | (mask) 10:1 | 5% |
| GaAs Via | n/a | 1µ/min | >10:1 | 5% |
注：蚀刻速率及选择性可以优化，提供产出效率。